Прес-пакет IGBT
Прес-пакет IGBT (IEGT)
| ТИП | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80 ℃ A | ITGQM@CS А / мкФ | ITSM@10 мс kA | VTM V | VTO V | rT мОм | TVJM ℃ | Rthjc ℃/Вт | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2,2 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2,5 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2,8 | ≤1,50 | ≤0,90 | 125 | 0,027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 рік | 6 | 16 | ≤2,8 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3,1 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2,5 | ≤1,50 | ≤0,33 | 125 | 0,012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2,5 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4,0 | ≤1,90 | ≤0,50 | 125 | 0,05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3,5 | 1.9 | ≤0,35 | 125 | 0,03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 рік | 2 | 16 | ≤3,2 | ≤1,8 | ≤0,85 | 125 | 0,017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4,0 | ≤2,2 | ≤0,60 | 125 | 0,012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4,0 | ≤2,1 | ≤0,58 | 125 | 0,011 |
Примітка:D- з dйодна частина, А-без діодної частини
Традиційно паяні контактні модулі IGBT застосовувалися в комутаційних пристроях гнучкої системи передачі постійного струму.Пакет модуля має одностороннє розсіювання тепла.Потужність пристрою обмежена, тому його не можна з’єднувати послідовно, низький термін служби в солоному повітрі, низька вібраційна стійкість до ударів або термічна втома.
Новий тип прес-контакту високої потужності прес-пакета IGBT пристрій не тільки повністю вирішує проблеми вакансії в процесі пайки, термічної втоми паяльного матеріалу та низької ефективності одностороннього розсіювання тепла, але також усуває термічний опір між різними компонентами, мінімізувати розмір і вагу.І значно підвищити ефективність роботи та надійність пристрою IGBT.Він цілком підходить для задоволення вимог високої потужності, високої напруги та високої надійності гнучкої системи передачі постійного струму.
Обов'язкова заміна паяного типу контакту на прес-пакет IGBT.
З 2010 року компанія Runau Electronics була розроблена для розробки нового типу прес-пакетного пристрою IGBT і продовжила виробництво в 2013 році. Продуктивність була сертифікована національною кваліфікацією, і передове досягнення було завершено.
Тепер ми можемо виготовити та надати серійні IGBT з прес-пакетом діапазону IC від 600 A до 3000 A та діапазону VCES від 1700 V до 6500 V.Дуже очікується чудова перспектива застосування прес-пакетів IGBT, виготовлених у Китаї, у гнучкій системі передачі постійного струму Китаю, і це стане ще однією віхою світового класу в промисловості силової електроніки Китаю після високошвидкісного електропотяга.
Короткий вступ до типового режиму:
1. Режим: прес-пак IGBT CSG07E1700
●Електричні характеристики після пакування та пресування
● Реверспаралельнийпідключенийдіод швидкого відновленняукладений
● Параметр:
Номінальне значення（25℃）
a.Напруга колекторного емітера: VGES=1700 (В)
b.Напруга затворного емітера: VCES=±20 (В)
в.Струм колектора: IC=800（A）ICP=1600（A）
d.Розсіювана потужність колектора: PC=4440（W）
д.Робоча температура з'єднання: Tj=－20~125 ℃
f.Температура зберігання: Tstg=－40~125 ℃
Примітка: пристрій буде пошкоджено, якщо перевищить номінальне значення
ЕлектричнийCхарактеристики, TC＝125℃，Rth (Термічний опірперехід досправа）не входить
a.Струм витоку затвора: IGES=±5 (мкА)
b.Струм блокування колектора емітера ICES=250 (мА)
в.Напруга насичення колектора емітера: VCE(sat)=6(V)
d.Порогова напруга емітера затвора: VGE(th)=10(V)
д.Час увімкнення: Тон=2,5 мкс
f.Час вимкнення: Toff=3 мкс
2. Режим: прес-пак IGBT CSG10F2500
●Електричні характеристики після пакування та пресування
● Реверспаралельнийпідключенийдіод швидкого відновленняукладений
● Параметр:
Номінальне значення（25℃）
a.Напруга колекторного емітера: VGES=2500 (В)
b.Напруга затворного емітера: VCES=±20 (В)
в.Струм колектора: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Розсіювана потужність колектора: PC=4800 (Вт)
д.Робоча температура з'єднання: Tj=－40~125 ℃
f.Температура зберігання: Tstg=－40~125 ℃
Примітка: пристрій буде пошкоджено, якщо перевищить номінальне значення
ЕлектричнийCхарактеристики, TC＝125℃，Rth (Термічний опірперехід досправа）не входить
a.Струм витоку затвора: IGES=±15 (мкА)
b.Струм блокування колектора емітера ICES=25 (мА)
в.Напруга насичення колектора емітера: VCE(sat)=3,2 (В)
d.Порогова напруга емітера затвора: VGE(th)=6,3(V)
д.Час увімкнення: Тон=3,2 мкс
f.Час вимкнення: Toff=9,8 мкс
g.Діод Пряма напруга: VF=3,2 В
ч.Час зворотного відновлення діода: Trr=1,0 мкс
3. Режим: прес-пак IGBT CSG10F4500
●Електричні характеристики після пакування та пресування
● Реверспаралельнийпідключенийдіод швидкого відновленняукладений
● Параметр:
Номінальне значення（25℃）
a.Напруга колекторного емітера: VGES=4500 (В)
b.Напруга затворного емітера: VCES=±20 (В)
в.Струм колектора: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Розсіювана потужність колектора: PC=7700（W）
д.Робоча температура з'єднання: Tj=－40~125 ℃
f.Температура зберігання: Tstg=－40~125 ℃
Примітка: пристрій буде пошкоджено, якщо перевищить номінальне значення
ЕлектричнийCхарактеристики, TC＝125℃，Rth (Термічний опірперехід досправа）не входить
a.Струм витоку затвора: IGES=±15 (мкА)
b.Струм блокування колектора емітера ICES=50 (мА)
в.Напруга насичення колектора емітера: VCE(sat)=3,9 (В)
d.Порогова напруга емітера затвора: VGE(th)=5,2 (В)
д.Час увімкнення: Тон=5,5 мкс
f.Час вимкнення: Toff=5,5 мкс
g.Пряма напруга діода: VF=3,8 В
ч.Час зворотного відновлення діода: Trr=2,0 мкс
Примітка:Прес-пакет IGBT має перевагу в довгостроковій високій механічній надійності, високій стійкості до пошкоджень та характеристиках структури пресового з’єднання, зручний для використання в серійному пристрої, і порівняно з традиційним тиристором GTO, IGBT є методом керування напругою .Таким чином, він простий в експлуатації, безпечний і має широкий робочий діапазон.