Нещодавно в Рунау було створено платформу моделювання нового типу силових напівпровідникових пристроїв.За допомогою вдосконаленої платформи моделювання та комбінованого тестування та аналізу було проведено плідне поглиблене дослідження структури пристрою та відповідної базової теорії.Використовуючи передову теорію та дослідницьку платформу, компанія розробила та освоїла ключову технологію обробки 5-дюймового тиристорного чіпа, GTO та IGCT.Повний технологічний потенціал виробництва тиристорів, випрямних діодів, модулів Шотткі, IGCT, IGBT, високовольтних і сильнострумових тиристорів, а також створення пілотної випробувальної платформи для діодів із надшвидким відновленням – усе це було успішно доступно в Рунау.Ще один надійний крок у створенні виробничої бази пристроїв силової електроніки в Китаї, ми вже на шляху.