Нормативні посилання, які застосовувала Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co у виробництві зварювальних діодів, були такими:
1. GB/T 4023—1997 Дискретні пристрої напівпровідникових пристроїв та інтегральних схем Частина 2: Випрямні діоди
2. GB/T 4937—1995 Методи механічних і кліматичних випробувань напівпровідникових пристроїв
3. JB/T 2423—1999 Силові напівпровідникові пристрої — Метод моделювання
4. JB/T 4277—1996 Упаковка силових напівпровідникових пристроїв
5. Метод випробування випрямного діода JB/T 7624—1994
Модель і розмір
1. Назва моделі: модель зварювального діода відповідає нормам JB/T 2423-1999, а значення кожної частини моделі показано на малюнку 1 нижче:
2. Графічні символи та термінальна (суб) ідентифікація
Графічні символи та ідентифікація клем показані на малюнку 2, стрілка вказує на катодну клему.
3. Форма та установчі розміри
Форма зварного діода є опуклою та дисковою, а форма з розміром має відповідати вимогам рисунка 3 та таблиці 1.
| Пункт | Розмір (мм) | ||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
| Катодний фланець (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
| Катод і анод Mesa(D1) | 44±0,2 | 57±0,2 | 68±0,2 |
| Максимальний діаметр керамічного кільця (D2максимум) | 55.5 | 71.5 | 90 |
| Загальна товщина (A) | 8±1 | 8±1 | 13±2 |
| Монтажний отвір | Діаметр отвору: φ3,5 ± 0,2 мм, глибина отвору: 1,5 ± 0,3 мм | ||
Рейтинги та характеристики
1. Рівень параметрів
Послідовність зворотної повторюваної пікової напруги (VRRM) відповідає таблиці 2
Таблиця 2 Рівень напруги
| VRRM（V） | 200 | 400 |
| Рівень | 02 | 04 |
2. Граничні значення
Граничні значення повинні відповідати таблиці 3 і застосовуватися до всього діапазону робочих температур.
Таблиця 3 Граничне значення
| Граничне значення | символ | одиниця | Значення | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Температура корпусу | Tcase | ℃ | -40～85 | |||
| Еквівалентна температура переходу (макс.) | T（vj） | ℃ | 170 | |||
| Температура зберігання | Tstg | ℃ | -40～170 | |||
| Повторювана пікова зворотна напруга (макс.) | VRRM | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
| Зворотна одноразова пікова напруга (макс | VRSM | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
| Прямий середній струм (макс.) | IF (AV) | A | 7100 | 12000 | 16000 | 18000 |
| Прямий (одноразовий) імпульсний струм (макс.) | IFSM | A | 55000 | 85000 | 120000 | 135000 |
| I²t (макс.) | I²t | кА²с | 15100 | 36100 | 72000 | 91000 |
| Сила кріплення | F | kN | 22～24 | 30～35 | 45～50 | 52～57 |
3. Характерні значення
Таблиця 4 Максимальні значення характеристик
| Характер і стан | символ | одиниця | Значення | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Пряма пікова напруга IFM=5000А, Тj=25 ℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1.05 |
| Зворотний повторюваний піковий струмTj=25℃, Тj=170 ℃ | IRRM | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
| Термічний опір | Rjc | ℃/ Вт | 0,01 | 0,006 | 0,004 | 0,004 |
| Примітка: щодо особливих вимог проконсультуйтеся | ||||||
Theзварювальний діодвиробництва Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor широко використовується в зварювальних машинах опорного зварювання, середніх і високих частотах до 2000 Гц або вище.Зварювальний діод від Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor є одним із найнадійніших пристроїв Китаю завдяки наднизькій прямій піковій напрузі, наднизькому термічному опору, найсучаснішій технології виробництва, чудовій здатності до заміни та стабільній продуктивності для користувачів у всьому світі. напівпровідникових виробів.
Час публікації: 14 червня 2023 р