Тиристор швидкого перемикання

опис:

Тиристор із швидким перемиканням, з тією самою структурою та символом тиристора керування фазою, тоді як кращі статичні характеристики, особливо динамічні характеристики, необхідні для високочастотного застосування випрямлення, подрібнення, інвертора та схеми перетворення частоти.Динамічні параметри швидкого тиристора: швидка швидкість увімкнення та швидкість розширення увімкнення, менший заряд зворотного відновлення та короткий час вимкнення, висока критична швидкість наростання струму ввімкненого стану (di/dt) та критична швидкість підвищення напруги в закритому стані (dv/dt).Номінальний струм швидкого тиристора в межах номінальної частоти не зменшується або незначно зменшується при збільшенні частоти.

Стандарт виробництва тиристорів із швидким перемиканням і технологія обробки RUNAU Electronics були представлені в США з 1980-х років, як піонер у виробництві тиристорів у Китаї, технічна команда RUNAU набула передових знань і достатнього виробничого досвіду протягом понад 30 років.На основі традиційного виробничого процесу талановиті технічні спеціалісти RUNAU Electronics розробили передову технологію виробництва тиристорів із перевагами європейських продуктів, якість і продуктивність значно покращилися, більше великих перемог досягнуто в додатках силової електроніки, і було створено більше цінності для партнерів.

Вступ:

1. Чіп

Тиристорний чіп, виготовлений компанією RUNAU Electronics, використовується за технологією спеченого легування.Кремнієво-молібденова пластина була спечена для легування чистим алюмінієм (99,999%) у високому вакуумі та високій температурі середовища.Керування характеристиками спікання є ключовим фактором, що впливає на якість тиристора.Ноу-хау RUNAU Electronics на додаток до керування глибиною з’єднання сплаву, площинністю поверхні, порожниною сплаву, а також навичками повної дифузії, кільцевим малюнком кола, спеціальною структурою затвора.Також було застосовано спеціальну обробку, щоб зменшити термін служби носія пристрою, так що швидкість внутрішньої рекомбінації носія значно прискорюється, заряд зворотного відновлення пристрою зменшується, і, відповідно, покращується швидкість перемикання.Такі вимірювання були застосовані для оптимізації характеристик швидкого перемикання, характеристик увімкненого стану та властивості імпульсного струму.Продуктивність і провідність тиристора є надійними та ефективними.

2. Інкапсуляція

Завдяки суворому контролю площинності та паралельності молібденової пластини та зовнішньої упаковки чіп та молібденова пластина будуть щільно та повністю інтегровані із зовнішньою упаковкою.Це оптимізує опір імпульсного струму та високого струму короткого замикання.І вимірювання технології електронного випаровування було використано для створення товстої алюмінієвої плівки на поверхні кремнієвої пластини, а шар рутенію, нанесений на поверхню молібдену, значно підвищить стійкість до термічної втоми, час роботи тиристора з швидким перемиканням буде значно збільшено.

Технічна специфікація

1. Тиристор швидкого перемикання з мікросхемою типу сплаву виробництва RUNAU Electronics, діапазон I_TAVвід 200А до 4000А і В_DRM/V_RRMвід 1200В до 4500В.
2. I_GT, В_GTі я_Hє тестовими значеннями при 25 ℃, якщо не вказано інше, усі інші параметри є тестовими значеннями під T_jm;
3. I²t=I²F SM × tw/2, tw = ширина основи синусоїдального напівхвильового струму.На 50 Гц я²t=0,005I²FSM(A²S);
4. На 60 Гц: I_FSM(8,3 мс)=I_FSM(10 мс) × 1,066, Т_j=T_j;я²t(8,3 мс)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Параметр: